
Samsung · SSD-накопители
SSD Samsung 9100 Pro 1TB PCIe 5.0 x4 NVMe M.2
Samsung 9100 PRO — высокопроизводительный NVMe SSD формата M.2 2280 на базе интерфейса PCIe 5.0 x4. Это накопитель ёмкостью 1 ТБ из семейства 9100 PRO, ориентированный на современные игровые и рабочие станции, требующие максимально быстрой загрузки приложений, редактирования больших объёмов данных и работы с… Читать полностью
Это всё, что есть
Быстрый запросОставьте контакты — менеджер подтвердит наличие и время выдачи
Купить без лишних шагов
Оставьте контакты, а менеджер подтвердит наличие, время выдачи и способ оплаты.
Характеристики
- Объём
- 1 TB
Описание
Samsung 9100 PRO — высокопроизводительный NVMe SSD формата M.2 2280 на базе интерфейса PCIe 5.0 x4. Это накопитель ёмкостью 1 ТБ из семейства 9100 PRO, ориентированный на современные игровые и рабочие станции, требующие максимально быстрой загрузки приложений, редактирования больших объёмов данных и работы с AI‑нагрузками.
Модель использует фирменный контроллер Samsung с V‑NAND TLC и выделенным LPDDR4X‑кэшем; заявленные пиковые скорости последовательного чтения и записи достигают примерно 14 800 МБ/с и 13 400 МБ/с соответственно, а произвольная производительность — порядка миллионов IOPS. Накопитель поддерживает набор функций NVMe (TRIM, S.M.A.R.T., шифрование AES 256‑bit) и поставляется как в вариантах без радиатора, так и с установленным низкопрофильным heatsink, что помогает сохранять стабильность при длительных пиковых нагрузках.
Эта модель подойдёт владельцам современных материнских плат с поддержкой PCIe 5.0, геймерам, создателям контента и специалистам по ML, которым важна максимальная пропускная способность и низкие задержки при работе с большими файлами и базами данных. Для оптимальной работы рекомендуется использовать разъём M.2, напрямую подключённый к процессорному PCIe‑каналу и при необходимости установить радиатор в компактных корпусах или игровых консолях, где требуется охлаждение.
Характеристики
- Интерфейс: PCIe 5.0 x4, NVMe 2.0
- Форм‑фактор: M.2 2280
- Ёмкость: 1 TB
- Последовательное чтение (макс.): 14,800 MB/s
- Последовательная запись (макс.): 13,400 MB/s
- Произвольная производительность (макс.): Read up to 2,200K IOPS / Write up to 2,600K IOPS
- Тип флеша: Samsung V‑NAND TLC
- Кэш памяти: 1 GB LPDDR4X
- Надёжность (TBW): 600 TBW
- Потребляемая мощность (тип./пик): ≈7.6 W (чтение) / ≈7.2 W (запись)
- Размеры (без/с радиатором): 80.15 × 22.15 × 2.38 mm (тип.) / с heatsink — до 8.88 mm высоты
- Поддерживаемые функции: TRIM, S.M.A.R.T., AES‑256, TCG/Opal
Отзывы
Отзывы проходят модерацию. Номер заказа помогает команде проверить покупку; отметка подтверждённой покупки появляется только после сопоставления с заказом.
Написать отзыв



